厭氧烤箱GM-60D在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用

在半導(dǎo)體行業(yè)中，GM-60D厭氧烤箱主要應(yīng)用于以下工藝：

膠粘劑固化：如PI（聚酰亞胺）、BCB（苯并環(huán)丁烯）和BPO（雙酚A型環(huán)氧樹脂）等膠粘劑需要在無氧環(huán)境下高溫固化，以防止氧化影響其性能和穩(wěn)定性。

晶片退火：消除芯片工藝前一階段高溫產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力缺陷，提高芯片的穩(wěn)定性和可靠性。

堅(jiān)膜后烘：顯影后的基材需要在無氧環(huán)境中烘烤，以增強(qiáng)光刻膠在硅片表面的附著力。

基板烘烤：封裝前排除基板內(nèi)部的水分子，防止氧化。

封裝固化：保護(hù)器件不被氧化，尤其是引線封裝，如SOP、SOT、QFN框架采用銅基材料，極易氧化，需要在低氧環(huán)境下固化。

GM-60D厭氧烤箱的安裝條件

環(huán)境條件：溫度5~40℃，濕度≤85%R.H。

電源要求：3P AC380V，50HZ。

使用環(huán)境：無強(qiáng)烈振動(dòng)，無強(qiáng)烈磁場(chǎng)影響，無腐蝕性氣體。

氣壓要求：200~500Kpa。

空間要求：箱體周圍應(yīng)留有500mm的空間，便于設(shè)備安裝和維修。

GM-60D厭氧烤箱的技術(shù)規(guī)格

工作室尺寸：W600×H600×D600 mm。

外形尺寸：W1190×H1730×D1100 mm。

功率：9KW。

溫度范圍：+60℃~+450℃。

溫度均勻度：±2.5℃@200℃；±5℃@350℃（空載）。

升溫速度：常溫~400℃，升溫速度：6°C/min。

溫控精度：±1℃。

含氧量：≤20PPM。

運(yùn)行噪音：≤65db。